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STM32 Flash的读写
Flash读写
STM32
true 31184d7e 2018-03-07 23:26:39

这里记一下STM32F4板子FLASH的读写操作以及需要注意的地方。

FLASH的写操作

  1. FLASH由 1 变为 0 不能由 0 变为 1 ,所以在写入之间需要检测是否为 1' ,并且擦除flash只能按照一个扇区来删除由上可知我们写入之前必须确保我们需要写入的地址读回来的值是0XFF如果不是0XFF就需要将整个扇区擦除(扇区变为全 1 )。
  2. 写入操作(包括擦除)之前需要将FLASH解锁 FLASH_Unlock()操作完成之后需要将FLASH上锁 FLASH_Lock()

正点原子的例子

  • 写入流程:
    • 解锁FLASH FLASH_Unlock()
    • 禁止数据缓存FLASH_DataCacheCmd(DISABLE),根据你传入的起始地址 WriteAddr 和写入的字节数 NumToWrite 计算出结束地址 endaddr
    • 遍历整个写入范围,一旦发现非 1 数据的出现就擦除整个扇区,他这里是字(Word)来检测的,所以地址 addrx 每次加4
    • 检测完毕并且擦除之后,进入写操作,每次写入一个字(4byte)的数据。所以 WriteAddr 每次加4, u32 *pBuffer 每次加1
    • 使能数据缓存FLASH_DataCacheCmd(ENABLE)上锁FLASH FLASH_Lock()
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//     写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//     写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//     没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, u32 *pBuffer, u32 NumToWrite)
{
    FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
    u32 addrx = 0;
    u32 endaddr = 0;
    if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || WriteAddr % 4)return;	//非法地址
    FLASH_Unlock();									//解锁
    FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存

    addrx = WriteAddr;				//写入的起始地址
    endaddr = WriteAddr + NumToWrite * 4;	//写入的结束地址
    if(addrx < 0X1FFF0000)			//只有主存储区,才需要执行擦除操作!!
    {
    while(addrx < endaddr)		//扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
    {
        if(STMFLASH_ReadWord(addrx) != 0XFFFFFFFF) //有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
        {
        status = FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx), VoltageRange_3); //VCC=2.7~3.6V之间!!
        if(status != FLASH_COMPLETE)break;	//发生错误了
        }
        else addrx += 4;
    }
    }
    if(status == FLASH_COMPLETE)
    {
    while(WriteAddr < endaddr) //写数据
    {
        if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr, *pBuffer) != FLASH_COMPLETE) //写入数据
        {
        break;	//写入异常
        }
        WriteAddr += 4;
        pBuffer++;
    }
    }
    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);	//FLASH擦除结束,开启数据缓存
    FLASH_Lock();//上锁
}
  • 测试和分析 经过实验擦除扇区的时间是很久的擦除128KByte的扇区大概需要1s多。并且不解锁虽然可以通过擦除函数并且返回 FLASH_COMPLETE 但是实际并没有擦除成功。我开始以为他这个耗时主要体现在读和判断,擦除操作比较快,😒但其实读120KByte的数据只需要3.9ms加上判断的时间也没多少主要的时间耗费在擦除操作上。😆另一个体现就是如果在 Keil 的工程选项里把擦除全部flash勾选下载前的擦除的时间是很长的。下面是测试代码和解释结果。测试结果可以看出擦除的时间并没有很大变化因为都是需要一次性操作一个扇区只要不超过一个扇区的长度都不会变化很大。写入和读出的时间保持线性变化。所有的测试都是用原子官方例程按照WORD(32bit)来写入的。
int main(void)
{
...上续代码
  STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR, (u32 *)&txbuf, SIZE);//写入一些数据保证flash不全为'1'
  uprintf(USART1, "扇区预先不为全 '1'时写入:\r\n");
  uprintf(USART1, "写入长度:%d\r\n", TEXT_LENTH);
  //原子的例子擦除flash再写入数据
  STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR, (u32 *)&txbuf, SIZE);
  memset(readbuf,0,TEXT_LENTH);//清空数据读取
  StartTiming();
  STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR, (u32 *)&readbuf, SIZE);
  timems = GetTimeMs();
  uprintf(USART1, "读出耗时:%.3fms\r\n", timems);
  uprintf(USART1, "读出长度:%d\r\n----\r\n", TEXT_LENTH, strlen((const char *)readbuf));
...下续代码
}

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, u32 *pBuffer, u32 NumToWrite)
{
...上续代码
  FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
  StartTiming();//开始计时擦除扇区耗时
.....上续代码
	timems = GetTimeMs(); 
	uprintf(USART1,"擦除扇区耗时 :%.3fms\r\n",timems);
	StartTiming();//开始写入计时
    if(status == FLASH_COMPLETE)
    {
...上续代码
 FLASH_Lock();//上锁
 timems = GetTimeMs();//获取写入耗时
 uprintf(USART1, "写入耗时:%.3fms\r\n", timems);
}
/*测试结果 测试120、12K、120K(Byte)的数据*/
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:120
擦除扇区耗时 :1046.720ms
写入耗时:0.440ms
读出耗时:0.020ms
读出长度:120 
----
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:12288
擦除扇区耗时 :1050.220ms
写入耗时:45.700ms
读出耗时:0.380ms
读出长度:12288 
----
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:122880
擦除扇区耗时 :1051.860ms
写入耗时:458.700ms
读出耗时:3.880ms
读出长度:122880 
----

改进擦除方式

  • 改进的一点想法 根据正点原子的测试结果来看,擦除扇区的时间是不可避免的,无非就是暴力一点不检测直接擦除(因为通常来说如果你存储在固定的flash地址除了第一次之后都会有数据)。这样搞了之后从测试的结果来看提升并不明显。写120KByte的数据下擦除时间少了4ms左右😔(少了读取和判断的时间)。所以擦除的方式并没有很好的改进方法(标题党😈)。

通用性考虑

  • 通过正点原子的例子熟悉了Flash的读写但是只支持4字节对齐(WORD)的操作,我看了一下库的函数是可以支持 BYTEHALFWORD,WORD, 和 DOUBLEWORD 的,不过 DOUBLEWORD 需要外部Vpp。所以想改进一些支持库函数里的各种byte(1-4) 的操作。
  • 修改好之后测试一下测试代码和上面原版的差不多。只是写入函数换成了修改之后的STMFLASH_WriteWithErase,测试结果如下,测试的时候用的是WORD方式写入。和原子基本没有差别。
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:120
擦除扇区耗时 :1043.500ms
写入耗时:0.460ms
读出耗时:0.000ms
读出长度:120 
----
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:12288
擦除扇区耗时 :1046.580ms
写入耗时:45.700ms
读出耗时:0.400ms
读出长度:12288 
----
扇区预先不为全 '1'时写入:
写入长度:122880
擦除扇区耗时 :1050.860ms
写入耗时:459.140ms
读出耗时:3.900ms
读出长度:122880 
----

其他ByteSize方式写入

相对于用WORD来说用其他方式写入flash是要慢一些的。采用 BYTE 方式需要 大概1832ms,采用HALFWORD方式需要920ms左右。因为擦除都是采用的VoltageRange_3也就是WORD方式所以擦除时间差不多。

分离操作的方式

  • 分离操作的意义 把擦除和写入分开。考虑到一个扇区是非常大的一个扇区可能会存储多种数据。如果写入之前有数据就会导致整个扇区被擦除数据就会丢失。所以采用分离的办法把数据的写入和擦除分隔开根据需要选择是否擦除扇区内的数据保证在擦除的操作之前有相应的备份操作就OK了。这样即使忘记擦除那么也只是新的数据没法正确写到flash里面其他部分的数据就不会被擦除这样有利于更好的数据完整性。
  • 测试结果和测试代码,经过测试分离之后的操作和没分离的时间上基本没什么差别,
分离操作方式写入flash:
擦除扇区耗时:1023.320ms
写入长度:120 byte
写入耗时:0.440ms
读出耗时:0.000ms
读出长度:120 byte
****
分离操作方式写入flash:
擦除扇区耗时:1015.140ms
写入长度:12288 byte
写入耗时:45.940ms
读出耗时:0.400ms
读出长度:12288 byte
****
合并操作方式写入flash:
写入长度:122880
擦除扇区耗时 :1010.480ms
写入耗时:461.420ms
读出耗时:3.900ms
读出长度:122880 
****
int mainvoid
{
...上续代码
    uprintf(USART1, "分离操作方式写入flash:\r\n");
    StartTiming();
    status = StmEraseFlashSector(FLASH_SAVE_ADDR, TEXT_LENTH);
    //FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
    //status = FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(FLASH_SAVE_ADDR), VoltageRange_3); //VCC=2.7~3.6V之间!!
    if(status != FLASH_COMPLETE)
    {
        uprintf(USART1, "擦除扇区失败:%d\r\n",status);    //发生错误了
        while(1) {};
    }
    timems = GetTimeMs();
    uprintf(USART1, "擦除扇区耗时:%.3fms\r\n", timems);
		uprintf(USART1, "写入长度:%d byte\r\n", TEXT_LENTH);
    StartTiming();
    //不需要擦除falsh直接写数据
    STMFLASH_WriteNoErase(FLASH_SAVE_ADDR, txbuf,TEXT_LENTH,ByteSize);
    timems = GetTimeMs();
    uprintf(USART1, "写入耗时:%.3fms\r\n", timems);
		memset(readbuf,0,TEXT_LENTH);//清空数据读取
    StartTiming();
    STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,readbuf, TEXT_LENTH,ByteSize);
    timems = GetTimeMs();
    uprintf(USART1, "读出耗时:%.3fms\r\n", timems);
    uprintf(USART1, "读出长度:%d byte\r\n****\r\n", TEXT_LENTH, strlen((const char *)readbuf)); 	
}

后记

搞了几天才把这个写完整。中途也进了好多的坑,浪费了好长时间。不过还是写完了。说一点注意的地方

  • flash的写入地址不是偶数就可以得是4的倍数。
  • 无论是擦除还是写入都需要先解锁flash。读取则不需要。
  • 对于同一个扇区的建议用分离的操作,并且在操作前根据需要把其他的数据读出来备份一下在写进去。

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